در فرآیند خشک کردن لایه محافظ سیمها، این کار صرفاً یک روند ساده نیست؛ بلکه یک فرآیند حرارتی است که مستقیماً بر کیفیت محصول تأثیر میگذارد. اگر دما منحرف شود یا یکنواختی آن کاهش یابد، مشکلاتی مانند خشک نشدن کامل لایه محافظ سیمها و وجود نقصهایی که تنها در مرحله بستهبندی مشخص میشوند، پیش خواهد آمد. ما ماژول خشک کردن لایه محافظ سیمها را به گونهای طراحی کردهایم که کنترل دقیقی بر دما در سطح ویفر وجود داشته باشد؛ تا این فرآیند به شکلی قابل پیشبینی انجام شود.
چه چیزی اهمیت دارد؟
این سیستم، استابیلیت دما را در محدوده ±۰.۱ درجه سانتیگراد حفظ میکند؛ این کار با استفاده از روش NIR/کوارتز-هالوژن انجام میشود. این روش انرژی را به لایه محافظ سیمها منتقل میکند، بدون اینکه دمای سطح ویفر افزایش یابد. منطقه گرمایشی این سیستم برای استفاده در اتاقهای پاکسازی درجه ۱ تا ۱۰۰ طراحی شده است؛ همچنین از موادی با بازده گازی کم و جریان هوایی کنترلشده برای جلوگیری از آلودگی استفاده شده است. پروفیلهای گرمایشی این سیستم، در هر بار اجرا یکسان باقی میمانند؛ زیرا واکنش حرارتی سریع و قابل پیشبینی است، و تغییرات بار نیز جبران میشود.
دلیل اینکه باید اینگونه عمل کرد این است که در فرآیند تولید ویفر، خشک کردن لایه محافظ سیمها باید هماهنگ با فرآیندهای لیتوگرافی و مراحل بستهبندی باشد. یکنواختی حرارتی، اثرات ناشی از تغییرات دما را کاهش میدهد؛ بنابراین زمان لازم برای تنظیم پارامترهای فرآیند کمتر میشود. وقتی فرآیند تکرار میشود، انحرافات کمتری رخ میدهد، مقدار ضایعات کمتر میشود، و عملکرد دستگاه قابل پیشبینی خواهد بود – ۲۴ ساعته. مصرف انرژی نیز به دلیل تثبیت سریع دما و حرارت کم در حالت استراحت، کنترل میشود؛ بنابراین هزینههای عملیاتی کاهش مییابد، بدون اینکه به بازدهی فرآیند آسیبی وارد شود.
این ماژول کوچک است، اما مشخصات فنی آن باید با طراحی خط تولید و سیستم تهویه هماهنگ باشد. انتظار داشته باشید که زمان راهاندازی این سیستم کوتاه باشد؛ تا پروفیل گرمایشی آن با ساختار ویفر و سطح زیرین آن هماهنگ شود – بهویژه در مورد ویفرهای نازک، که جرم حرارتی آنها باعث تغییرات در واکنش حرارتی میشود. وقتی پروفیل گرمایشی تعیین شد، این سیستم به یک ابزار قابل اعتماد برای کنترل فرآیند تبدیل میشود.