Precisie IR sensor voor wafers

Tue, 23 Jun 2026 13:34:21 +0800

Op de lithografieafdeling worden de parameters van de fotorezist vastgesteld tijdens de zogenaamde ‘soft bake’ en ‘hard bake’. Een verschil van 2°C kan leiden tot een verschil van 20 nm in de temperatuur op het oppervlak van de wafer. Dit verschil komt tot uiting in verschillen in de dikte van de randen van de wafer. Er is dus temperatuurcontrole nodig die nauwkeurig kan worden gemeten, herhaald en gevolgd.

Wat er echt toe doet We hebben de precisiesensor gebouwd rondom een stabiele NIR-emitter en een gekalibreerde detector. Hierdoor blijft de thermische uniformiteit op het niveau van de wafer op ±0,1°C tijdens het bakproces. De sensoren passen in de kleine openingen van de oven, en de optica is afgesloten tegen uitstoot van gasen. Hierdoor blijven de metingen consistent in zuiverruimtes van klasse 1-100. Het voorkomen van partikelformatie is geen slogan; dit wordt bereikt door het vermijden van draaiende onderdelen en het behouden van een vaste oriëntatie van de sensoren. De herhalbaarheid van de metingen blijft binnen 0,1%, zodat langdurige processen zonder herkalibratie kunnen worden uitgevoerd.

Precisie on Custom Warm IR Heater Builds

Precisie IR sensor voor wafers